新一代千元机皇 realme 真我 Q3 Pro优科技评测(3)

作为一款敢越级的千元机皇，realme 真我 Q3 Pro搭载了天玑1100芯片，该款芯片采用了功耗表现更佳出色的6nm制程工艺，1)相比7nm制程工艺逻辑密度提高18%，功耗降低8%。并且采用了旗舰级的A78大核心，2)规格与骁龙888，天玑1200等旗舰芯片相同。

同时网络方面还支持5G双卡双待、双卡支持独立组网以及支持5G双载波聚合，VoNR等全新5G应用技术。而存储方面也是升级至双通道UFS3.1高速闪存，相比上代产品UFS 2.2闪存连续读写速度提升超过50%，全面改善游戏加载、应用安装和大文件拷贝等场景体验痛点。

在有着出色硬件配置的同时，realme 真我 Q3 Pro还搭载了旗舰级的3D钢化VC液冷散热，其采用新一代钢铜复合内部结构，比传统铜VC强度提升了42%，解决了纯铜材质因强度不足、易腐蚀结锈导致散热效率曲线降低的弊病。3D钢化VC液冷结合多层立体式石墨组成的强劲散热系统， 100%覆盖核心发热源，实现了核心最高降温15度的出色表现。

至于电池和续航方面，realme 真我 Q3 Pro内置了4500毫安时大电池，支持30W的智慧闪充，配合着系统层“全场景智能省电”和超级省电模式两大功耗优化功能，让极致性能大胆释放，更加持久。